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              等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)

              等離子增強化學氣相沉積爐(PECVD系統)

              簡要描述:PECVD系統是一種基于等離子體化學氣相沉積技術的薄膜沉積設備,能夠對各種材料進行薄膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣體等。PECVD技術在微電子、光電、平板顯示、儲能等領域具有重要的應用價值。

              產品時間:2023-05-04

              瀏覽量:3243次

              廠家性質:生產廠家

              詳細說明:
              品牌HAOYUE/皓越升溫速度(達到最高溫)10℃min
              加熱方式合金電阻絲控溫精度±1℃
              最高溫度1200℃價格區間5萬-10萬
              儀器種類管式爐產地類別國產
              應用領域化工,地礦,能源,電子,冶金

              一、PECVD系統產品應用

                 PECVD工藝中由于等離子體中高速運行的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成離子體,而等離子體化學活性很強,很容易反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;

              PECVD系統

              PECVD系統

               

              二、產品特點

                 1、整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好。

                 2、爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩,可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻。爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料。

                 3、采用高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小。

                 4、采用SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空,一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷。

                 5、加熱元件采用康奈爾發熱絲,表面負荷高、經久耐用。設計溫度1200℃,升溫速率10℃/min。

                 6、可選配多路質量流量計,數字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥,可通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量。

                 7、等離子射頻電源:大射頻功率達500W,輸出頻率13.56MHz±0.005%,輸入電源 208-240VAC, 單相50/60Hz。

              三、技術參數

              型號

              HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

              HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

              HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

              HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

              設計溫度(℃)

              1200 

              1200 

              1200 

              1200 

              控溫精度(℃)

              ±1 

              ±1

              ±1 

              ±1 

              加熱區直徑(mm)

              25 

               50

              60 

              80 

              加熱區長度(mm)

              200 

               200 

              400 

              400 

              加熱管長度(mm)

              450 

              450 

              1000 

              1000 

              恒溫區長度(mm)

              80 

              80 

              150 

              150 

              額定電壓(V)

              220 

              220 

              220 

              220

              額定功率(KVA)

              1.2 

              1.2 

              射頻電源功率(W)

              5~300 

              5~300 

              5~500 

              5~500 

              真空機組

              HTF-101 

              HTF-101 

              HTF-104 

              HTF-104 

              供氣系統

              HTF-2F 

              HTF-4F

              HTF-2M 

              HTF-4M 

               

                 PECVD系統是一種基于等離子體化學氣相沉積技術的薄膜沉積設備,能夠對各種材料進行薄膜沉積,包括金屬、半導體、絕緣體等。PECVD技術在微電子、光電、平板顯示、儲能等領域具有重要的應用價值。
                PECVD系統主要由等離子體源、反應室、氣體進料裝置、真空泵組成。
                等離子體化學氣相沉積是一個非常重要的化學物理過程,其原理是將氣態前驅體通過電場等離子體化為反應中的激活態分子或離子,并在特定條件下沉積在襯底上。在PECVD系統中,首先將反應室抽真空至高真空狀態,然后在等離子體源產生高能電子通過電磁場加熱氣體形成等離子體,對氣態前驅體進行等離子體化學反應,產生反應產物并在襯底上沉積為薄膜。
                PECVD系統有多種類型,根據不同的離子化方式可以分為射頻、微波等離子體排放等多種形式。其中,射頻等離子體排放方式最為常見。
                射頻等離子體排放方式是通過高頻電極和接收電極之間的電場產生等離子體。在等離子體反應中,通過控制前驅體的壓力、流量、疊加比例等參數,控制反應過程中的離子濃度、溫度、速度等參數,從而得到所需要的薄膜。
                PECVD技術具有多項優點,如沉積速度高、沉積質量好、材料可控性高等,能夠滿足復雜材料沉積的要求。同時,PECVD技術也存在一些問題,如材料不均勻性、產率低、設備成本高等。
                在實際應用中,通過調整PECVD系統的工藝參數、優化設備結構以及改進氣體進料裝置等措施,可以克服其存在的問題,并在微電子、光電、平板顯示、儲能等領域獲得廣泛應用。
                綜上所述,PECVD系統是一種非常重要的材料加工設備,具有多項優點,但也面臨一些挑戰。在這方面,需要通過不斷地技術創新和設備改進,使其在實際應用中的性能不斷地得到提高,從而更好地滿足各種應用領域的需求。


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