PECVD系統具有優良的電學性能、良好的襯底附著性以及臺階覆蓋性，正由于這些優點使其在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用。適用于室溫至1200℃條件下進行Si02、SiNx薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，Sic膜...

真空熱壓爐是靶極材料、納米陶瓷材料、釹鐵硼材料等新型材料的理想設備，主要供大專院校、科研單位針對無機材料在真空（或保護氣氛）熱壓條件下進行燒結處理，以便獲得高致密度的產品。爐體部分：爐體為立式爐殼其內層為不銹鋼制成的園筒外層為碳鋼。兩層之間...

多溫區管式爐包括雙溫區、三溫區、五溫區，每個溫區可以單獨控溫，主要適用于真空或保護氣氛中，多種溫度段下材料的預燒、燒結、鍍膜、高溫熱解、低溫沉積工藝，碳納米管及碳納米線的制備等。主要針對實驗室在真空或者保護氣氛下對樣品的熱處理，優質的爐膛材...

管式電爐采用可靠的集成化電路，工作環境好，抗干擾，最高溫度時爐體外殼溫度≤50℃大大提高了工作環境。廣泛用于陶瓷、冶金、電子、玻璃、化工、機械、耐火材料、新材料開發、特種材料、建材等領域。工作原理：熱電偶將爐溫轉變成電壓信號后，加在微...